Cách điều chế AlN

Cách điều chế thứ #1

Al+NH3 ra AlN+H2

Điều kiện phản ứng

Cách điều chế thứ #2

N2+Al4C3 ra AlN+C

Điều kiện phản ứng

Cách điều chế thứ #3

AlCl3+NH4Cl ra AlN+HCl

Điều kiện phản ứng

Cách điều chế thứ #4

Al2O3+C+N2 ra AlN+CO

Điều kiện phản ứng

Cách điều chế thứ #5

Al+NH3 ra AlN+H2

Điều kiện phản ứng

Cách điều chế thứ #6

Al+N2 ra AlN

Điều kiện phản ứng

AlN
Nhôm nitrua

Nhôm nitride (AlN) là một vật liệu thú vị và là một trong những vật liệu tốt nhất để sử dụng nếu cần độ dẫn nhiệt cao. Khi kết hợp với các đặc tính cách điện tuyệt vời của nó, nhôm nitride là vật liệu tản nhiệt lý tưởng cho nhiều ứng dụng điện và điện tử. Trong số các ứng dụng của nhôm nitride là quang điện tử, các lớp điện môi trong phương tiện lưu trữ quang học, chất nền điện tử, chất mang chip nơi dẫn nhiệt cao là điều cần thiết, ứng dụng quân sự. Nitrat nhôm tinh thể phát triển đặc biệt cũng được sử dụng cho các cảm biến sóng âm bề mặt (SAW) lắng đọng trên các tấm silicon vì đặc tính áp điện của nhôm nitride. Rất ít nơi có thể chế tạo những màng mỏng này một cách đáng tin cậy. Agilent sau hơn một thập kỷ nghiên cứu hiện có bộ lọc RF được sử dụng trong điện thoại di động được gọi là FBAR. Công nghệ này được liên kết chặt chẽ với các kỹ sư làm việc trong lĩnh vực MEMS.